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      砷化鎵工藝設備
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      砷化鎵單晶合成爐


      晶體材料生長設備
      VGF 、HB 、HGF 、VB產品特點:
      ★用于GaAs等化合物晶體的生長         
      ★按結構形式:垂直生長,水平生長
      ★按生長方式:梯度生長及移動生長        
      ★晶體生長尺寸::2-6寸
      ★設備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB     
      ★提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。
      主要技術指標:
      ★結構型式:單管水平式,加熱爐體可左右移動    
      ★適合2~4″晶體生長工藝(可定制)。
      ★爐體有效加熱長度:1600mm            
      ★最高工作溫度:1300℃
      ★恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃
      ★升溫速率(室溫~1260℃):斜變升溫速率可控在0~15℃/min
      ★降溫(1300℃~900℃):0~5℃/min         
      ★供電電源:三相五線~380V±10% ,50Hz
       
      總經辦電話:13805320424    全國咨詢電話:400 0532 778
       
      EMAIL:qdyuhaodz@126.com     網址:www.gaoliangba.com
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